Sistema de laser semicondutor de alta potência de 915nm
Parâmetro (25 ℃)
Típica | Unidade | |
Parâmetros ópticos | ||
Potência de saída | 100 | W |
Faixa de potência | 0-100 | W |
Limite de corrente | 1.08 | A |
Corrente operacional | 15,5 | A |
Tensão operacional | 11.8 | V |
Largura mínima de pulso | 50 | μs |
Taxa máxima de repetição de entrada | 10K | Hz |
tempo de subida | <15 | μs |
Consumo máximo de energia | <300 | W |
Comprimento de onda central | 915±10 | nm |
Luz de mira | 650 | nm |
Potência de saída | 2 | mw w |
Instabilidade da potência de saída | <3%@24h | |
Tensão CA de entrada | 200-240 (50 HZ) | V |
Parâmetros de fibra | ||
Diâmetro do núcleo da fibra | 200 | μm |
Diâmetro do tubo protetor metálico | 7 | mm
|
Abertura numerica | 0,22 | - |
Comprimento da fibra | 1-5 | m |
Conector | SMA905-SMA905 | |
Modo de resfriamento | Resfriamento a ar | |
Função | ||
RS232:Modo de ajuste da porta serial | Controle remoto | |
Controle local | operação de botão e toque | |
Feedback de circuito fechado de detecção de PD | Se estiver acima da corrente PD, o sistema para o laser | |
Feedback de circuito fechado de detecção de temperatura | Se estiver acima da temperatura, o sistema para de piscar | |
modo de controle AD | Modulação analógica 0-10V | |
Modo de trabalho | CW/Plus |
Ambiente operacional e condições de trabalho
Dimensões (mm)
mín. | máx. | Unidade | |
Temperatura de operação | -10 | 40 | ℃ |
Umidade Relativa Operacional | - | 75 | % |
Temperatura de armazenamento | -20 | 80 | ℃ |
Umidade relativa de armazenamento | - | 90 | % |
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